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                  應(yīng)用
                  
                        
                  陜西航晶微電子有限公司
                  
                    
                  
                
                  
            
                  
        
                  
    
                  

                  
 
                  
    
                  

                  

                  
    
    
                  
    
                  
    
                  
        
                  
            
            
                  
        
                  
    
                  

                  
    
                  
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    這里是標(biāo)題一h1占位文字

                  
    
                  

        
            
                  
                
                  
    
                  
    
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                  2021-07
                  

                  
    
                  
    
                  2021-07-28
                  
    
                  
        
    電子模擬開(kāi)關(guān)的模擬特性和開(kāi)關(guān)特性
        

                  
        
    許多工程師第一次使用模擬開(kāi)關(guān)，往往會(huì)把模擬開(kāi)關(guān)完全等同于機(jī)械開(kāi)關(guān)。其實(shí)模擬開(kāi)關(guān)雖然具備開(kāi)關(guān)性，但和機(jī)械開(kāi)關(guān)有所不同，它本身還具有半導(dǎo)體特性：

模擬開(kāi)關(guān)的模擬特性

　?。?）導(dǎo)通電阻(Ron)隨輸入信號(hào)(Vin)變化而變化

　　圖1a是模擬開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)單示意圖，由圖中可以看出模擬開(kāi)關(guān)的常開(kāi)常閉通道實(shí)際上是由兩個(gè)對(duì)偶的N溝道MOSFET與P溝道MOSFET構(gòu)成，可使信號(hào)雙向傳輸，如果將不同Vin值所對(duì)應(yīng)的P溝道MOSFET與N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻并聯(lián)，可得到圖1b并聯(lián)結(jié)構(gòu)下Ron隨輸入電壓(Vin)的變化關(guān)系，如果不考慮溫度、電源電壓的影響，Ron隨Vin呈線(xiàn)性關(guān)系，將導(dǎo)致插入損耗的變化，使模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)生總諧波失真(THD)。此外，Ron也受電源電壓的影響，通常隨著電源電壓的上升而減小。



　?。?）模擬開(kāi)關(guān)輸入有嚴(yán)格的輸入信號(hào)范圍

　　由于模擬開(kāi)關(guān)是半導(dǎo)體器件，當(dāng)輸入信號(hào)過(guò)低(低于負(fù)電源電壓)或者過(guò)高(高于正電源電壓)時(shí)，MOSFET處于反向偏置，當(dāng)電壓達(dá)到某一值時(shí)(超出限值0.5～4V)，此時(shí)開(kāi)關(guān)無(wú)法正常工作，嚴(yán)重者甚至損壞。因此模擬開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中，一定要注意輸入信號(hào)不要超出規(guī)定的范圍。

　　模擬開(kāi)關(guān)部分電路可以等效成圖2



　?。?）電荷注入

　　應(yīng)用機(jī)械開(kāi)關(guān)我們當(dāng)然希望Ron越低越好，因?yàn)榈妥杩梢越档托盘?hào)的損耗。然而對(duì)于模擬開(kāi)關(guān)而言，低Ron并非適用于所有的應(yīng)用，較低的Ron需要占據(jù)較大的芯片面積，從而產(chǎn)生較大的輸入電容(雜散電容)，與構(gòu)成模擬開(kāi)關(guān)的NMOS和PMOS管相伴的雜散電容引起的一種電荷變化稱(chēng)為“電荷注入”。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期其充電和放電過(guò)程會(huì)消耗更多的電流，而且還會(huì)產(chǎn)生正向尖峰和負(fù)向尖峰。時(shí)間常數(shù)t=RC，充電時(shí)間取決于負(fù)載電阻R和電容C，一般持續(xù)幾十ns。這說(shuō)明低Ron具有更長(zhǎng)的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間。為此，選擇模擬開(kāi)關(guān)應(yīng)該綜合權(quán)衡Ron和注入電荷。

　　（4）開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)仍會(huì)有感應(yīng)信號(hào)漏出

　　這一特性指的是當(dāng)模擬開(kāi)關(guān)傳輸交流信號(hào)時(shí)，在斷開(kāi)情況下，仍然會(huì)有一部分信號(hào)通過(guò)感應(yīng)由輸入端傳到輸出端，或者由一個(gè)通道傳到另一個(gè)通道。通常信號(hào)的頻率越高，信號(hào)泄漏的程度越嚴(yán)重。

　?。?）傳輸電流比較小

　　模擬開(kāi)關(guān)不同于機(jī)械開(kāi)關(guān)，它通常只能傳輸小電流，目前CMOS工藝的模擬開(kāi)關(guān)允許連續(xù)傳輸?shù)碾娏鞔蠖嘈∮?00mA。

　　（6）邏輯控制端驅(qū)動(dòng)電流極小

　　機(jī)械開(kāi)關(guān)邏輯控制端的驅(qū)動(dòng)電流往往都是mA級(jí)，有時(shí)單純靠數(shù)字I/O很難驅(qū)動(dòng)。而模擬開(kāi)關(guān)的邏輯控制端驅(qū)動(dòng)電流極小，一般低于nA級(jí)。因此，它完全可以由數(shù)字I/O直接驅(qū)動(dòng)，從而達(dá)到降低功耗、簡(jiǎn)化電路的目的。

模擬開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)特性

?

　　（1）信號(hào)可雙向傳輸

　　有些人習(xí)慣于把模擬開(kāi)關(guān)的兩個(gè)常開(kāi)常閉端稱(chēng)之為輸入端，公共端稱(chēng)之為輸出端，其實(shí)這只是根據(jù)模擬開(kāi)關(guān)的具體應(yīng)用給予的臨時(shí)定義。模擬開(kāi)關(guān)大多可以使信號(hào)雙向傳輸，如果忽略這一點(diǎn)，就很容易使電路出現(xiàn)問(wèn)題，比如將電壓反向偏置、電流倒灌等。

　?。?）開(kāi)關(guān)斷開(kāi)后漏電流極小

　　模擬開(kāi)關(guān)在斷開(kāi)(OFF)時(shí)會(huì)呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，兩傳輸端間的漏電流極小，一般只有nA級(jí)以下，很多模擬開(kāi)關(guān)斷開(kāi)后的漏電流約為1nA。這么微弱的電流在應(yīng)用中可忽略不計(jì)，模擬開(kāi)關(guān)此時(shí)可被認(rèn)為是理想斷開(kāi)的。

　　模擬開(kāi)關(guān)在斷開(kāi)時(shí)的等效電路如圖3



總之，模擬開(kāi)關(guān)是具有開(kāi)關(guān)功能的半導(dǎo)體器件，在應(yīng)用過(guò)程中既要充分利用它的開(kāi)關(guān)功能，又要考慮它的半導(dǎo)體特性，否則可能會(huì)出現(xiàn)意想不到的麻煩。
        

                  

                  

                  

                  
                
            
                  
            
                  
                
        
                  
        
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